Η Samsung παρουσιάζει τις τεχνολογίες zHBM και zNAND-O για υποδομές Τεχνητής Νοημοσύνης

Σύνοψη

• Η Samsung Electronics αποκάλυψε τα concept models των zHBM και zNAND-O, τα οποία εστιάζουν στην αρχιτεκτονική 3D μνήμης επόμενης γενιάς, κατά τη διάρκεια του Future of Memory and Storage (FMS) 2026 στη Σάντα Κλάρα της Καλιφόρνια.
• Η αρχιτεκτονική zHBM διαφοροποιείται στοιβάζοντας κάθετα τη μνήμη HBM απευθείας επάνω στους AI accelerators, με στόχο τη μείωση της απόστασης διαδρομής των δεδομένων και τη βελτίωση της ενεργειακής αποδοτικότητας.
• Ανακοινώθηκε επίσημα η τεχνολογία V10 BV-NAND, η οποία ενσωματώνει περισσότερα από 400 επίπεδα κάνοντας χρήση της νέας τεχνολογίας wafer bonding.
• Το ανανεωμένο χαρτοφυλάκιο της εταιρείας για συστήματα τεχνητής νοημοσύνης περιλαμβάνει επίσης τις λύσεις HBM4E, HBM5, LPDDR5X-PIM και τη σειρά enterprise storage PM1763.

Η Samsung αποκάλυψε τις πλέον πρόσφατες τεχνολογικές της εξελίξεις στον τομέα της μνήμης για εφαρμογές τεχνητής νοημοσύνης στο πλαίσιο του συνεδρίου Future of Memory and Storage (FMS) 2026 που πραγματοποιήθηκε στη Σάντα Κλάρα της Καλιφόρνια. 

Διαθέτοντας εκτεταμένη εμπειρία και τεχνογνωσία που καλύπτει τις τεχνολογίες DRAM, NAND, καθώς και λύσεις enterprise storage, η εταιρεία ανέλυσε το επικαιροποιημένο τεχνολογικό της roadmap, το οποίο αποσκοπεί στη μεγιστοποίηση της απόδοσης των μελλοντικών υποδομών high-performance computing (HPC). 

Στο εκθεσιακό booth της εταιρείας, το οποίο είχε σχεδιαστεί με έμπνευση από υποδομές AI cloud server, παρουσιάστηκαν περίπου 30 διαφορετικές τεχνολογίες αποθήκευσης και μνήμης, καταδεικνύοντας τη στρατηγική κατεύθυνση του κατασκευαστή.

Η νέα αρχιτεκτονική zHBM και η προσέγγιση zNAND-O

Κατά τη διάρκεια της έκθεσης, τα στελέχη του Memory Business της Samsung προχώρησαν στην πρώτη παγκόσμια παρουσίαση των concept models των zHBM και zNAND-O, τα οποία αποτελούν τον πυρήνα του οράματος της εταιρείας για τις αρχιτεκτονικές 3D μνήμης επόμενης γενιάς. Η λύση zHBM προορίζεται για προηγμένες διεργασίες AI computing, εισάγοντας μια ριζοσπαστική σχεδιαστική φιλοσοφία η οποία στοιβάζει κάθετα τη μνήμη HBM απευθείας πάνω από τους επιταχυντές τεχνητής νοημοσύνης, εγκαταλείποντας τους συμβατικούς σχεδιασμούς που απαιτούν την τοποθέτηση της HBM δίπλα στον κεντρικό επεξεργαστή. Αυτή η κάθετη τοποθέτηση ελαχιστοποιεί σημαντικά τη φυσική απόσταση που διανύουν τα δεδομένα μεταξύ του AI processor και της μνήμης, οδηγώντας σε αξιοσημείωτα υψηλότερο bandwidth και δραστικά βελτιωμένη ενεργειακή αποδοτικότητα.

Σύμφωνα με τα τεχνικά δεδομένα που παρασχέθηκαν, ένα σύστημα διεπαφής επόμενης γενιάς που θα ενσωματώνει τη μνήμη zHBM αναμένεται να προσφέρει περίπου οκταπλάσια απόδοση συγκριτικά με τα πρότυπα της γενιάς HBM5. Παράλληλα, με την αξιοποίηση της τεχνολογίας wafer bonding επόμενης γενιάς, η αρχιτεκτονική zHBM έχει τη δυνατότητα να επιτύχει πάνω από 10 φορές μεγαλύτερη πυκνότητα μνήμης από την HBM5, ενώ παράλληλα βελτιώνει την ενεργειακή αποδοτικότητα κατά τρεις φορές και μειώνει τη θερμική αντίσταση κατά ποσοστό που υπερβαίνει το 50%. Επιπροσθέτως, η zHBM υποστηρίζει σχεδιασμούς που είναι προσαρμοσμένοι στις εξειδικευμένες ανάγκες των πελατών, επιτρέποντας την ενσωμάτωση εξατομικευμένης IP στο ενδιάμεσο επίπεδο (interposer) ανάμεσα στη μνήμη και τον accelerator.

Επιπλέον, η εταιρεία εισήγαγε τη λύση zNAND-O, η οποία αποτελεί μια μνήμη NAND επόμενης γενιάς υψηλών επιδόσεων, βασισμένη στην εδραιωμένη τεχνολογία V-NAND της εταιρείας. Η συγκεκριμένη λύση αναπτύσσεται αυτή τη στιγμή σε εκδόσεις των τεσσάρων και οκτώ επιπέδων, συνδυάζοντας εξαιρετική χωρική αποδοτικότητα με βελτιωμένη απόδοση I/O και ιδιαίτερα χαμηλό latency, χαρακτηριστικά που την καθιστούν ιδανική για edge AI περιβάλλοντα που απαιτούν εφαρμογές σε πραγματικό χρόνο με έντονη διακίνηση δεδομένων.

Η εξέλιξη της V-NAND με την τεχνολογία V10 BV-NAND

Δεκατρία χρόνια μετά την αρχική παρουσίαση της πρώτης στον κλάδο τεχνολογίας V-NAND στο Flash Memory Summit του 2013, η Samsung ανακοίνωσε την τεχνολογία V10 BV-NAND, η οποία υιοθετεί τη νέα αρχιτεκτονική Bonding V-NAND. Η συγκεκριμένη υλοποίηση χαρακτηρίζεται από τη χρήση περισσότερων από 400 επιπέδων, προσφέροντας αισθητά υψηλότερη απόδοση και ανώτερη ενεργειακή αποδοτικότητα, ενώ παράλληλα αυξάνει την πυκνότητα αποθήκευσης. Η εφαρμογή της τεχνολογίας wafer bonding για τη στοίβαξη των κυψελών μνήμης επέτρεψε στη Samsung να αυξήσει την πυκνότητα της μνήμης κατά περίπου 58% σε σχέση με την αμέσως προηγούμενη γενιά (V9). Εκτός από την αύξηση των επιπέδων, η V10 BV-NAND βελτιώνει επίσης την ταχύτητα των λειτουργιών ανάγνωσης, εγγραφής και I/O, θέτοντας τα θεμέλια για συστήματα αποθήκευσης NAND υψηλών επιδόσεων που θα εξυπηρετούν τα μελλοντικά συστήματα τεχνητής νοημοσύνης.

Ενοποιημένο χαρτοφυλάκιο και λύσεις LPDDR5X-PIM

Στο ευρύτερο τεχνολογικό roadmap που δημοσιοποιήθηκε, η Samsung προέβαλε λύσεις όπως οι HBM4E, HBM5, LPDDR5X-PIM, καθώς και τις σειρές αποθήκευσης PM1763 και BM1773 που προορίζονται για enterprise χρήση στα σύγχρονα AI data centers. Είναι αξιοσημείωτο ότι η Samsung ξεκίνησε την αποστολή δειγμάτων HBM4E σε παγκόσμιους πελάτες της τον Μάιο, έχοντας ήδη επιτύχει τη μαζική παραγωγή της HBM4 τον Φεβρουάριο, με χρήση τεχνολογιών 1c DRAM και base die στα 4 νανόμετρα (nm).

Ιδιαίτερη αναφορά έγινε στη μνήμη LPDDR5X-PIM, η οποία αποτελεί την πρώτη μνήμη LPDDR στον κλάδο που ενσωματώνει τεχνολογία processing-in-memory. Η λύση αυτή εκτελεί ένα σημαντικό μέρος της επεξεργασίας των δεδομένων εντός του ίδιου του υποσυστήματος της μνήμης, μειώνοντας με αυτόν τον τρόπο τη συνεχή μεταφορά δεδομένων προς τον κεντρικό επεξεργαστή, βελτιώνοντας την αποδοτικότητα και ελαττώνοντας την κατανάλωση ενέργειας.

Ως Integrated Device Manufacturer (IDM), η Samsung διατηρεί τον πλήρη έλεγχο από τον σχεδιασμό και την κατασκευή έως το advanced packaging. Αυτή η ολοκληρωμένη προσέγγιση επιτρέπει στην εταιρεία να προσφέρει one-stop turnkey λύσεις, μειώνοντας δραστικά τους κύκλους ανάπτυξης των προϊόντων και επιτρέποντας στους πελάτες της να διαθέτουν ταχύτερα τις τελικές AI semiconductor υλοποιήσεις στην αγορά.